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国信证券-电子元器件行业半导体专题研究系列十八:科技创新大时代,半导体cmp核心材料迎来国产化加速期-200510
2020-05-11 07:38:37  欧阳仕华,唐泓翼,商艾华
研报摘要

  半导体CMP材料是集成电路制造的关键制程材料
  集成电路制造踏着摩尔定律的节奏快速发展,逻辑芯片的特征尺寸已发展至5nm,存储芯片堆叠层数达到128层。在这一进程中,核心材料CMP(化学机械抛光)对于集成电路制造发展起着至关重要的作用,可以说没有CMP,晶圆制程节点可能止步于0.35um。当前制造每片晶圆片,都需历经几道至几十道不等的CMP工艺步骤,精度要求至纳米级。
  抛光垫是CMP的核心耗材,全球市场被海外龙头垄断
  CMP材料价值量约占芯片制造成本的7%,其中抛光垫价值量约占CMP耗材的33%。由于抛光垫孔隙率、沟槽方案、硬度、刚性、可压缩性等参数对抛光质量、材料去除率和抛光批次一致性等有着显著影响,抛光垫是影响CMP效果的核心基础材料。随着集成电路制造精密度持续升级,抛光垫在CMP系统中的重要性显现持续提升。
  抛光垫具有技术、专利、客户体系等较高行业壁垒。海外企业在技术积累、专利储备和产品系列上具有较强的先发优势,并且与全球主要晶圆制造厂多年合作,拥有已被验证的产品稳定性及可靠性,因此多年以来全球抛光垫市场被陶氏、Cabot等少数几家海外企业垄断约90%市场。
  2020年看中国晶圆制造厂崛起,核心材料迎来国产化替代良机
  2020年将是国产晶圆制造企业崛起元年,随着中游制造技术能力赶超世界先进,产能有望迅速翻番增长。以中芯国际、长江存储、合肥长鑫等为代表的国内晶圆制造厂将重塑国产半导体产业链,核心材料国产化配套势在必行。根据市场预估,全球CMP市场复合增长率约6%。随着未来国内晶圆厂大幅投产,测算预计未来5年中国CMP垫市场规模增速可超10%,2023年可达约30亿元,未来可达50亿元以上。国内CMP抛光垫技术上已具备替代海外产品的能力,国产供应商即将迎来1~N的跨越式发展。
  CMP半导体材料国产化相关投资标的
  目前国内上市企业中,1、鼎龙股份,突破海外CMP抛光垫长期垄断,其主要产品已通过国内多家核心制造客户认证。2、安集科技在国内CMP抛光液处于领先地位。3、江丰电子:国内超高纯金属材料及溅射靶材核心,2016年起布局CMP关键部件。随着国产化领头企业未来的1-N加速成长可期,大家强烈看好CMP抛光垫相关龙头企业的发展前景。
  
研报全文

行业必赢56net手机版行业研究证券研究报告—深度报告电子元器件半导体专题研究系列十八超配2020年05月10日一年该行业与上证综指走势比较行业专题科技创新大时代,半导体CMP核心材料迎来国产化加速期半导体CMP材料是集成电路制造的关键制程材料集成电路制造踏着摩尔定律的节奏快速发展,逻辑芯片的特征尺寸已发展至5nm,存储芯片堆叠层数达到128层。

在这一进程中,核心材料CMP(化学机械抛光)对于集成电路制造发展起着至关重要的作用,可以说没有CMP,晶圆制程节点可能止步于0.35um。

当前制造每片晶圆片,都需历经几道至几十道不等的CMP工艺步骤,精度要求至纳米级。

抛光垫是CMP的核心耗材,全球市场被海外龙头垄断CMP材料价值量约占芯片制造成本的7%,其中抛光垫价值量约占CMP耗材的33%。

由于抛光垫孔隙率、沟槽方案、硬度、刚性、可压缩性等参数对抛光质量、材料去除率和抛光批次一致性等有着显著影响,抛光垫是影响CMP效果的核心基础材料。

随着集成电路制造精密度持续升级,抛光垫在CMP系统中的重要性显现持续提升。

抛光垫具有技术、专利、客户体系等较高行业壁垒。

海外企业在技术积累、专利储备和产品系列上具有较强的先发优势,并且与全球主要晶圆制造厂多年合作,拥有已被验证的产品稳定性及可靠性,因此多年以来全球抛光垫市场被陶氏、Cabot等少数几家海外企业垄断约90%市场。

2020年看中国晶圆制造厂崛起,核心材料迎来国产化替代良机2020年将是国产晶圆制造企业崛起元年,随着中游制造技术能力赶超世界先进,产能有望迅速翻番增长。

以中芯国际、长江存储、合肥长鑫等为代表的国内晶圆制造厂将重塑国产半导体产业链,核心材料国产化配套势在必行。

根据市场预估,全球CMP市场复合增长率约6%。

随着未来国内晶圆厂大幅投产,测算预计未来5年中国CMP垫市场规模增速可超10%,2023年可达约30亿元,未来可达50亿元以上。

国内CMP抛光垫技术上已具备替代海外产品的能力,国产供应商即将迎来1~N的跨越式发展。

CMP半导体材料国产化相关投资标的目前国内上市企业中,1、鼎龙股份,突破海外CMP抛光垫长期垄断,其主要产品已通过国内多家核心制造客户认证。

2、安集科技在国内CMP抛光液处于领先地位。

3、江丰电子:国内超高纯金属材料及溅射靶材核心,2016年起布局CMP关键部件。

随着国产化领头企业未来的1-N加速成长可期,大家强烈看好CMP抛光垫相关龙头企业的发展前景。

重点企业盈利预测及投资评级企业企业投资昨收盘总市值EPSPE代码名称评级(元)(百万元)2020E2021E2020E2021E300054鼎龙股份超配12.8910.040.27324.447.6688019安集科技超配262.8611.682.30156.9114.4资料来源:Wind、国信证券经济研究所预测相关研究报告:《2020年5月份月报:新冠疫情危中有机,目前时点战略看多电子板块》——2020-05-06《电子行业公募基金一季度持仓分析:新冠疫情低点已过,看好中国科技产业的升级前景》——2020-05-06《苹果2020年一季度财报点评:苹果第一季度业绩好于预期,服务及可穿戴业务增长亮眼》——2020-05-06《2020年4月必赢56net手机版:下跌消化大部分负面预期,看好疫情之后需求反转》——2020-04-07《HUAWEI2019年财报点评:严峻考验下的逆势增长,持续布局全场景智慧生活产品》——2020-04-01证券分析师:欧阳仕华电话:0755-81981821E-MAIL:ouyangsh1@guosen.com.cn证券投资咨询执业资格证书编码:S0980517080002证券分析师:唐泓翼电话:021-60875135E-MAIL:tanghy@guosen.com.cn证券投资咨询执业资格证书编码:S0980516080001证券分析师:商艾华电话:E-MAIL:shangaihua@guosen.com.cn证券投资咨询执业资格证书编码:S0980519090001证券分析师:何立中电话:010-88005322E-MAIL:helz@guosen.com.cn证券投资咨询执业资格证书编码:S0980516110003独立性声明:编辑保证报告所采用的数据均来自合规渠道,分析逻辑基于本人的职业理解,通过合理判断并得出结论,力求客观、公正,其结论不受其它任何第三方的授意、影响,特此声明0.60.81.01.21.41.6M/19J/19S/19N/19J/20M/20上证综指电子元器件投资摘要关键结论与核心逻辑数十年来,集成电路制造踏着摩尔定律的节奏快速发展,逻辑芯片的特征尺寸已发展至5nm,存储芯片堆叠层数达到128层。

CMP成为集成电路制造全局平坦化的重要制程,每一片晶圆在制造中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤,而抛光对象分门别类,平坦化要求日趋复杂,因此CMP对于集成电路制造良率十分关键。

其中抛光垫是CMP的核心基础材料,决定CMP核心效果,重要性持续提升。

抛光垫具有技术、专利、客户体系等较高行业壁垒,而全球抛光垫市场目前被陶氏等海外企业垄断90%市场,因此国内企业具有广阔替代空间。

2020年将是国产晶圆制造企业崛起元年,随着中游制造技术能力赶超世界先进,产能有望迅速翻番增长。

以中芯国际、长江存储、合肥长鑫等为代表的国内晶圆制造厂将重塑国产半导体产业链,核心材料国产化配套势在必行。

根据市场预估,全球CMP市场复合增长率约6%。

随着未来国内晶圆厂大幅投产,测算预计未来5年中国CMP垫市场规模增速可超10%,2023年可达约30亿元,未来可达50亿元以上。

国内CMP抛光垫技术上已具备替代海外产品的能力,国产供应商即将迎来1~N的跨越式发展。

大家看好CMP抛光垫相关龙头企业的发展前景。

与市场预期不同之处市场目前对CMP耗材认知和重视程度不足,而大家看到随着中芯国际、武汉新芯等为代表的国内晶圆制造厂的崛起,CMP耗材作为核心半导体耗材之一,也具有较为显著的成长空间,相关龙头企业目前已在产品、技术上具有较好的储备,随着制造端客户认可,有望迎来加速成长期。

股价变化的催化因素第一,半导体材料国产化进程加速。

第二,产业政策和资金支撑。

核心假设或逻辑的主要风险第一,国内外经济形势的波动,导致下游需求不及预期。

第二,全球贸易冲突加剧,导致供应链存在较大风险。

内容目录CMP是集成电路制造关键制程,抛光垫是核心耗材....................................................5平坦化要求日趋复杂,CMP为集成电路制造关键制程.................................................5抛光垫决定CMP基础效果,重要性持续提升...............................................................9CMP抛光垫具有技术、专利、客户体系等较高行业壁垒...........................................10海外龙头基本垄断全球抛光垫市场.............................................................................15抛光垫行业集中较高,被海外龙头高度垄断................................................................15契机已来,国内晶圆制造崛起,将重塑国产半导体产业链.........................................15替代开启,抛光垫国产化开启主成长周期...................................................................17CMP半导体材料国产替代企业梳理...........................................................................19鼎龙股份:CMP抛光垫打破国外垄断,迎来1-N跨越式发展...................................19安集科技:CMP抛光液处于国内领先地位.................................................................20江丰电子:积极布局CMP部件领域............................................................................20风险提示....................................................................................................................21国信证券投资评级......................................................................................................22分析师承诺................................................................................................................22风险提示....................................................................................................................22证券投资咨询业务的说明...........................................................................................22图表目录图1:化学机械抛光实物图..........................................................................................5图2:化学机械抛光示意图..........................................................................................5图3:未使用CMP和使用CMP效果模拟对比............................................................5图4:集成电路中CMP工艺位置...............................................................................5图5:CMP发展历程...................................................................................................6图6:不同产品对应的CMP工艺及步骤需求..............................................................7图7:SiO2绝缘膜CMP(没有停止层).....................................................................8图8:层间绝缘膜CMP(有停止层)..........................................................................8图9:浅沟槽隔离CMP................................................................................................8图10:多晶硅CMP.....................................................................................................8图11:金属膜CMP流程.............................................................................................8图12:晶圆制造材料细分占比....................................................................................9图13:CMP材料细分占比..........................................................................................9图14:CMP工艺变化趋势:抛光垫重要性提升........................................................10图15:CMP中抛光原理............................................................................................10图16:抛光垫工作原理.............................................................................................10图17:全球区域PAD类相关专利分布......................................................................11图18:中国及国际近年来抛光垫专利申请量对比......................................................11图19:全球范围内专利权利引用次数........................................................................11图20:鼎龙股份及子企业拥有抛光垫相关专利情况..................................................12图21:惰性气体成孔示意图......................................................................................13图22:惰性气体成孔主要流程要点...........................................................................13图23:IC1000的孔隙率............................................................................................13图24:IC1010的孔隙率............................................................................................13图25:XY网格状沟槽(IC1000)............................................................................14图26:同心圆状沟槽(IC1010)..............................................................................14图27:抛光垫产品导入简要流程图...........................................................................14图28:企业CMP竞争格局.......................................................................................15图29:大陆区域晶圆厂运营主体的目标产能(万片/月)..............................................16图30:大陆区域晶圆厂项目建设梳理一览................................................................16图31:主流晶圆产能目标.........................................................................................16图32:大陆区域主要晶圆厂产能目标汇总(万片/月)..................................................17图33:国产替代路径.................................................................................................18图34:全球及国内CMP市场规模............................................................................18图35:鼎龙股份2015-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)........................................19图36:鼎龙股份产品营收及占比(2019E)...................................................................19图37:安集科技2016-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)........................................20图38:安集科技2016-2019(E)年毛利率及净利率趋势..............................................20图39:江丰电子2015-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)........................................20图40:江丰电子2015-2019(E)年毛利率及净利率趋势..............................................20表1:抛光工艺对比.....................................................................................................6表2:CMP抛光效果评判标准显现抛光垫决定基础抛光性能......................................9表3:不同抛光垫材料参数对比.................................................................................13CMP是集成电路制造关键制程,抛光垫是核心耗材平坦化要求日趋复杂,CMP为集成电路制造关键制程CMP全称为ChemicalMechanicalPolishing,即化学机械抛光,是普通抛光技术的高端升级版本。

集成电路制造过程好比建房子,每搭建一层楼层都需要让楼层足够水平齐整,才能在其上方继续搭建另一层楼,否则楼面就会高低不平,影响整体可靠性,而这个使楼层整体平整的技术在集成电路中制造中用的就是化学机械抛光技术。

CMP是通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合,对集成电路器件表面进行平滑处理,并使之高度平整的工艺技术。

当前集成电路中主要是通过CMP工艺,对晶圆表面进行精度打磨,并可到达全局平整落差100A。

~1000A。

(相当于原子级10~100nm)超高平整度。

而未经平坦化处理,晶片起伏随着层数增多变得更为明显,同层金属薄膜由于厚度不均导致电阻值不同,引起电致迁移造成电路短路。

起伏不平的晶片表面还会使得光刻时无法准确对焦,导致线宽控制失效,严重限制了布线层数,降低集成电路的使用性能。

图1:化学机械抛光实物图图2:化学机械抛光示意图资料来源:3M官网、国信证券经济研究所整理资料来源:百度、国信证券经济研究所整理图3:未使用CMP和使用CMP效果模拟对比图4:集成电路中CMP工艺位置资料来源:百度文库、国信证券经济研究所整理资料来源:百度文库、国信证券经济研究所整理未使用CMP使用CMP摩尔定律下,代工制程节点不断缩小,布线层数持续增加,CMP成为关键制程。

1991年IBM企业首次成功地将CMP技术应用到动态随机存储器的生产以来,随着半导体工业踏着摩尔定律的节奏快速发展,芯片的特征尺寸持续缩小,已发展至5~7nm。

CMP已成功用于集成电路中的半导体晶圆表面的平面化。

根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。

图5:CMP发展历程资料来源:SMIC、国信证券经济研究所整理随着特征尺寸的缩小,以及布线层数增长,对晶圆平坦化精度要求不断增高,普通的化学抛光和机械抛光难以满足在当前集成电路nm级的精度要求,特别是目前对于0.35um制程及以下的器件必须进行全局平坦化,CMP技术能够全局平坦化、去除表面缺陷、改善金属台阶覆盖及其相关可靠性,从而成为目前最有效的抛光工艺。

表1:抛光工艺对比抛光工艺特点化学抛光表面精度较高,损伤低,完整性好,不容易出现表面/亚表面损伤,但研磨速率较慢,材料去除效率较低,不能修正表面型面精度,研磨一致性比较差机械抛光研磨一致性好,表面平整度高,研磨效率高容易出现表面层/亚表面层损伤,表面粗糙度值比较低CMP吸取了化学抛光和机械抛光的优点,目前CMP工艺能够在保证材料去除效率,并获得全局平整落差<100A。

(相当于10nm原子级别)超高平整度。

资料来源:公开资料整理、国信证券经济研究所整理CMP主要运用在在单晶硅片抛光及多层布线金属互连结构工艺中的层间平坦化。

集成电路制造需要在单晶硅片上实行一系列的物理和化学操作,同时随着器件特征尺寸的缩小,需要更多的生产工序,其中90nm以下的制程生产工艺均在400个工序以上。

就抛光工艺而言,不同制程的产品需要不同的抛光流程,28nm制程需要12~13次CMP,进入10nm制程后CMP次数将翻倍,达到25~30次。

图6:不同产品对应的CMP工艺及步骤需求资料来源:知乎、国信证券经济研究所整理单晶硅片:硅片在经历拉晶、切割和研磨之后,需要进行通过化学腐蚀减薄,此时粗糙度达到10~20um左右,再进行一系列粗抛光、细抛光、精抛光等步骤,可将粗糙度控制在几十个nm以内,这样表面才可以达到集成电路的要求。

多层金属布线层:集成电路元件采用多层立体布线后,光刻工艺中对解析度和焦点深度(景深)的限制越来越高,因此需要刻蚀的每一层都需要有很高的全局平整度,即要求保证每层全局平坦化,通常要求每层的全局平整度不大于特征尺寸的2/3。

12寸大硅片在加工过程中出现的非均匀效应、翘曲形变效应,使得CMP工艺在解决平坦化问题上尤为重要。

多层布线条件下,任何一层导线和绝缘介质的厚度变化都会影响整颗芯片的电学稳定性,只有在CMP工艺下才能将其厚度变化控制在纳米级别范围。

同时,CMP可以免除由于介质层台阶所需的过曝光、过显影、过刻蚀,在一定程度上减少了缺陷密度、提高了制程良率。

CMP平坦化工艺使用的环节包括:氧化硅薄膜、层间绝缘膜(ILD)、浅沟槽隔离(STI)、多晶硅和金属膜(如Al,Cu)等。

CMP技术最早使用在氧化硅抛光中,是用来进行层间介质(ILD)的全局平坦的,在半导体进入0.35μm节点之后,CMP更广泛地应用在金属钨、铜、多晶硅等的平坦化工艺中。

随着金属布线层数的增多,需要进行CMP抛光的步骤也越多。

下文举例说明集中CMP工艺的不同特点:氧化硅薄膜的CMP:氧化硅多应用于做绝缘膜或隔离层,因此氧化硅层的平整度将影响往后数层的制造、导线的连接及定位的工作。

通常氧化硅层多以CVD(化学汽相沉积)的方法沉积,因此会有过多的堆积层需要以CMP的方式去除,此过程没有明显的停止终点,以去除薄膜的厚度为标准,只需达到平整度要求即可。

层间绝缘膜的CMP:在层间绝缘膜的平整化方面,抛光对象有电浆辅助化学汽相沉积膜、硼磷硅玻璃及热氧化膜等。

每一种对象的CMP抛光条件都随着抛光液种类、抛光压力与抛光时间而有所不同。

在对不同特性的绝缘膜抛光时,大多以监测抛光终点来判定完成与否。

图7:SiO2绝缘膜CMP(没有停止层)图8:层间绝缘膜CMP(有停止层)资料来源:知网、国信证券经济研究所整理资料来源:知网、国信证券经济研究所整理浅沟槽隔离的CMP:在硅晶片上经蚀刻形成沟槽后,利用CVD方式沉积氧化硅膜,再用CMP去除未埋入沟槽中的氧化硅膜,并以抛光速度相对缓慢的(如氮化硅膜)作为CMP的抛光停止层即终点,此时沟槽内的氧化硅即成为电路中的绝缘体膜。

多晶硅的CMP:将STI过程的沟槽加深,以CVD方式沉积氧化硅或氮化硅后,再以多晶硅作为堆积材料,用CMP去除深沟外多余的多晶硅,并以在硅晶片上及沟槽内长成的氧化硅或氮化硅膜作为CMP的抛光停止层即终点,此方法常见于沟槽电容的制造过程中。

图9:浅沟槽隔离CMP图10:多晶硅CMP资料来源:知网、国信证券经济研究所整理资料来源:知网、国信证券经济研究所整理金属膜的CMP:在半导体工艺中常用作导线的金属有铝、钨、铜,CMP除了能将金属导线平整化以外,还能制作(两层电路)导线间连接的“接触窗”,即在两层电路间的绝缘膜上蚀刻出接触窗的凹槽,再以CVD方式将用作导线材料的金属沉积其中,最后再以CMP去除多余的金属层。

图11:金属膜CMP流程资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理抛光垫决定CMP基础效果,重要性持续提升CMP主要由抛光垫、抛光液、调节器等部分组成。

化学机械抛光技术是化学作用和机械作用相结合的组合技术,旋转的晶圆以一定的压力压在旋转的抛光垫上,抛光液在晶圆与抛光垫之间流动,并产生化学反应。

晶圆表面形成的化学反应物由漂浮在抛光液中的磨粒通过机械作用将这层氧化薄膜去除,在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工。

从价值量占比可以看到,CMP材料是芯片制造的核心耗材,占芯片制造成本约7%,其中抛光垫价值量占CMP耗材的33%左右。

拆解晶圆制造成本进行,CMP材料占比较大,约为6.7%。

价值量与光刻胶相近。

其中抛光液和抛光垫是最核心的材料,占比分别为49%和33%。

图12:晶圆制造材料细分占比图13:CMP材料细分占比资料来源:SEMI、国信证券经济研究所整理资料来源:SEMI、国信证券经济研究所整理抛光垫决定了CMP工艺的基础抛光效果,并结合设备操作过程、硅片、抛光液等因素,共同影响CMP抛光结果和效率。

大家一般从平均磨除率、平整度和均匀性、选择比和表面缺陷四个维度来评判抛光效果。

为了更好控制抛光过程,需要详细了解CMP系统中参数所起的作用以及它们之间微妙的交互作用。

其中,抛光垫的物理化学等性能在CMP工艺中发挥了重要的作用。

表2:CMP抛光效果评判标准显现抛光垫决定基础抛光性能标准说明说明平均磨除率在设定时间内磨除材料的厚度平整度和均匀性平整度是硅片某处CMP前后台阶高度之差占CMP之前台阶高度的百分比选择比对不同材料的抛光速率是影响硅片平整性和均匀性的重要因素表面缺陷CMP工艺造成的硅片表面缺陷包括擦伤或沟、凹陷、侵蚀、残留物和颗粒污染设备过程变量作用压力P、硅片和抛光垫之间的相对速度、抛光时间、抛光区域温度及分布硅片表面应力分布、图案密度、形状抛光液化学性质、成分、ph值;粘度、温度、供给速度;磨粒尺寸、分布、硬度、形状抛光垫材料、密度、物理化学性质;硬度、厚度、粗糙度;结构、表面形态、稳定性资料来源:中国知网、国信证券经济研究所整理抛光垫的自身硬度、刚性、可压缩性等机械物理性能对抛光质量、材料去除率和抛光垫的寿命有着明显的影响。

抛光垫的硬度决定了其保持形状精度的能力。

采用硬质抛光垫可获得较好工件表面的平面度,软质抛光垫可获得加工变质层和表面粗糙度都很小的抛光表面。

抛光垫的可压缩性决定抛光过程抛光垫与工件表面的贴合程度,从而影响材料去除率和表面平坦化程度。

可压缩性大的抛光垫与工件的贴合面积小,材料去除率高。

硅片38%电子特气13%掩膜版13%光刻胶辅助材料7%CMP抛光材料7%光刻胶5%工艺化学品5%金属靶材2%其他10%抛光液49%抛光垫33%调节器9%清洁剂5%其他4%目前最新趋势,国际先进厂家在3D-Nand等更高要求的生产环节中应用固定研磨颗粒的抛光垫,其产品融合了原本存在于抛光液的抛光颗粒,显现抛光垫重要性进一步提高。

图14:CMP工艺变化趋势:抛光垫重要性提升资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理CMP抛光垫具有技术、专利、客户体系等较高行业壁垒CMP抛光垫具有较高技术要求、持续较大资金投入、核心客户认证体系是主要进入壁垒。

对于行业现有龙头企业而言,为了打击后发企业的竞争优势,往往会发挥市场垄断支配地位,通过采取差异性定价策略锁定下游晶圆厂的长期合同,从而建立自身的行业护城河。

抛光垫是CMP工艺中重要耗材。

聚胺脂有像海绵一样的机械特性和多孔吸水特性,具有良好的耐磨性、较高的抛光效率,在集成电路晶圆的CMP中应用非常广泛。

主要型号有IC1000、IC1400、IC2000、SUBAIV等,其中IC1000和SUBAIV是用得最广的。

抛光垫表面包括一定密度的微凸峰,也有许多微孔,不仅可以去除硅片表面材料,而且还起到存储和运输抛光液、排除抛光过程产物的作用。

垫上有时开有可视窗,便于线上检测。

抛光垫是CMP工艺中重要的耗材,同时需要定时整修。

图15:CMP中抛光原理图16:抛光垫工作原理资料来源:鼎龙股份、国信证券经济研究所整理资料来源:CNKI、国信证券经济研究所整理国产抛光垫最大的痛点之一在于专利技术积累较浅。

日本、美国在抛光垫领域技术积累较厚实,中国排名第5。

据《集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析》一文统计,截至2017年,在全球2918个专利中,有效专利约1511个,而其中日本有效专利占比达41%,美国有效专利占比达33%,分别位居第一第二,中国近年来有所提升,有效专利数占比达16%。

CMP步骤199519971999200120032005200720092011201320152017气相二氧化硅Fumedsilica硅胶Colloidalsilica湿式氧化铈wetceria酸式Acidic电介质Dielectrics矾土Alumina气相二氧化硅Fumedsilica胶体二氧化硅Colloidalsilica硝酸铁Ferricnitrate过氧化物Peroxide碘酸盐Iodate气相法二氧化硅Fumedsilica胶体二氧化硅Colloidalsilica酸性中性Acidicneutral无颗粒Particle-free钽Ta钴Co钌Ru无颗粒Particle-free自停Self-stopping变化电解质钨铜阻隔层新系统抛光垫技术已发展固定颗粒形态,逐步在3D-NAND产品生产环节应用图17:全球区域PAD类相关专利分布资料来源:集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析、国信证券经济研究所整理图18:中国及国际近年来抛光垫专利申请量对比资料来源:万方数据库、国信证券经济研究所整理海外抛光垫龙头企业罗门哈斯(被陶氏收购)拥有较多和CMPPAD相关的高质量及基础专利。

截止2017年9于月,通过代表专利质量指标的引用次数指标显现,罗门哈斯的专利被引用次数在全球范围内所有申请人中最多,达451次,其总计拥有201个抛光垫的设计和制造方面的专利族,154个抛光垫在抛光方面的应用专利,123个抛光层方面的专利族,8个抛光垫表面的专利族。

陶氏2009年收购罗门哈斯后,进一步巩固了抛光垫市场份额。

预估目前陶氏20英寸抛光垫占据国内85%左右的市场份额,30英寸抛光垫的市占率则更高。

国内企业在化学机械抛光领域起步较晚,仅有以鼎龙股份为代表的企业少量生产中低端产品。

图19:全球范围内专利权利引用次数资料来源:集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析、国信证券经济研究所整理国内抛光垫领先企业鼎龙股份,2019年共拥有专利555项,其中抛光垫制造及工艺相关发明及创新有效专利约54项,与海外企业具有一定差距。

数量/个占比/%数量/个占比/%数量/个占比/%数量/个占比/%数量/个占比/%数量/个占比/%数量/个占比/%日本105361758.643641.444342.126124.816515.717416.5100.9美国71149269.221930.843661.314921.0344.8567.9365.1韩国37624665.413034.611731.116543.97018.6133.5112.9世界常识产权组织33928584.15415.925474.9247.1257.4319.151.5中国24420282.84217.215262.3208.2104.15020.5124.9中国台湾14911275.23724.88758.43322.110.72516.832.0撤销申请中过期优先权地区总数/个有效无效授权放弃1061791677683331482102040608010012014016018020020152016201720182019国际专利中国专利以主要应用在300mm晶圆方面的开窗口的抛光垫为例,专利被美国应用材料企业占有,国内仅陶氏获得授权生产及销售。

而鼎龙为代表国内厂商从无窗口200mm抛光垫入手,依靠成本优势和优质服务来开拓市场,进而积累技术水平向高端领域进军。

图20:鼎龙股份及子企业拥有抛光垫相关专利情况资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理二、从技术壁垒上看,抛光垫技术难点在需要持续试错,找到合适材料配方、稳定制作工艺及设计图案,从而获得较好的、稳定的抛光速率和抛光效果。

企业研究CMP耗材时间成本较高,可能需要较长时间来试错摸索工艺指标、产品配方等对物理参数及性能的影响结果,形成较深的Knowhow壁垒。

以抛光垫为例,由于抛光垫通常物理指标包含硬度、刚性、韧性、弹性模量、剪切模量、密度、可压缩性等各项机械指标,综合影响抛光效果,而如果结合考虑材料选择、温度选择、固化时长、搅拌时长等工艺步骤控制,按照三元变量简单推算其理论方案可能性至少在数万次至数百万次试验级别,因此对于企业而言需要较长时间来试错摸索工艺指标、产品配方等对物理参数及性能的影响结果。

衡量抛光垫性能指标有较多,各项物理指标综合影响抛光效果,其中相对关键的指标在于孔隙率、孔隙均匀性等,其对抛光垫的各项物理性能指标及批次一致性影响程度较大。

衡量抛光垫的技术指标主要包含硬度、刚性、韧性、弹性模量剪切模量、密度、可压缩性等机械物理性能。

而其中由于抛光垫在材料配方一定的情况下,孔隙生成的密度和均匀性包含物理、化学及热处理等将直接影响各项抛光垫的物理指标。

目前孔隙生成方式包括惰性气体成孔、预聚物和糖类物质反应成孔等。

但其具体生产工艺控制、化学材料选择、配方配比、图形设计等涉及大量Knowhow。

图21:惰性气体成孔示意图图22:惰性气体成孔主要流程要点资料来源:百度、国信证券经济研究所整理资料来源:百度、国信证券经济研究所整理由于涉及到设计及工艺需要企业长期的实践和摸索,抛光垫各系列产品参数及稳定性需要长期积累。

举例来,对比IC1000和IC1010,可以看到,不同孔隙率,硬度,粗糙度均对抛光效果产生不同影响,同时配合沟槽调整综合调整抛光效果。

表3:不同抛光垫材料参数对比硬度(ShoreD)密度/g*cm-3孔隙率/%孔径/um可压缩性/%粗糙度/umIC1000600.8248%401.63.514IC1010570.7561.4%401.94.853资料来源:中国知网、国信证券经济研究所整理对比IC1000和IC1010两种规格的抛光垫,两种抛光垫表面的微孔直径都在40um左右,其他物理化学参数大多相似,其中IC1000的孔隙率为48%,IC1010的孔隙率为61.4%。

图23:IC1000的孔隙率图24:IC1010的孔隙率资料来源:百度、国信证券经济研究所整理资料来源:百度、国信证券经济研究所整理比较显现,抛光垫的孔隙率越高和粗糙度越大,其携带抛光液的能力越强。

抛光垫越粗糙,则材料去除率增大,这是因为表面粗糙度高的抛光垫与工件表面的接触面积减小,而且粗糙的抛光垫表面可储存更多的抛光液,因此作用在单颗磨粒上的力增大,单颗磨粒的去除材料体积增大。

抛光垫使用后会产生变形,表面变得光滑,孔隙减少和被堵塞,使抛光速率下降,必须进行修整来恢复其粗糙度,改善传输抛光液的能力,一般采用钻石修整器修整。

抛光垫的沟槽图形设计,也是影响抛光性能的核心指标。

抛光垫沟槽的设计影响着抛光垫储存、运送抛光液的能力和表面局部应力梯度。

抛光垫表面结构有平整型和带有不同沟槽型的。

抛光垫表面适度开槽后,储存、运送抛光液的能力显著增强,磨料分布更均匀、工件表面剪切应力高,因此抛光效率和质量都得到提高。

抛光垫表面上的槽本身起着类似于均匀分布磨粒的作用,它通过增加剪切应力保证材料去除率。

抛光垫一种CMP加工流程要点(a)使抛光层形成用材料中包含有机微粒形成用单体,并通过在进行搅拌后使所述单体聚合,来形成所述有机微粒并使其分散;(b)将选自由能够控制孔尺寸的惰性气体、胶囊型发泡剂和化学发泡剂组成的组中的至少一种与(a)中的所述混合物混合,以形成气孔;(c)对(b)中生成的所述混合物进行凝胶化和硬化,以形成抛光层;和(d)加工所述抛光层,以使通过打开气孔而限定出的开孔分布在所述抛光层的表面上。

惰性气体成孔表面沟槽形式(平行与垂直交叉型或同心环形)、沟槽形状(V型、U型或楔型)、沟槽方向以及沟槽尺寸(深度、宽度和间距)等对磨料的分布和流动、抛光垫的寿命有着显著的影响。

抛光垫沟槽的宽度要适度,太小体现不出开槽效果,太大会使得抛光效率变小,晶片的粗糙度也变差。

抛光垫沟槽的深度对于抛光效果则没有明显的影响。

图25:XY网格状沟槽(IC1000)图26:同心圆状沟槽(IC1010)资料来源:百度、国信证券经济研究所整理资料来源:百度、国信证券经济研究所整理第三,核心客户认证体系壁垒较高核心客户认证体系壁垒较高,主要由于抛光垫对芯片良率影响较大,但成本占比较相对较低,在稳定而成熟的FAB厂中,为确保芯片良率,一般很少替换原有稳定的供应商。

半导体Fab厂具有资本密集和技术密集的属性,对于上游半导体原材料的稳定性和良品率有极高的要求,因此对于原材料供应商认证门槛极高、认证周期较长。

目前在半导体产业链安全可控的大环境下,国内厂商速度加快,验证周期缩短到半年左右。

图27:抛光垫产品导入简要流程图资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理海外龙头基本垄断全球抛光垫市场抛光垫行业集中较高,被海外龙头高度垄断CMP抛光垫行业集中度极高。

目前全球CMP抛光垫市场格局主要被Dow、Cabot、ThomasWest等外资厂商垄断,前5大企业垄断约90%市场份额。

国内厂商在CMP抛光垫领域具有较为广阔的替代空间。

图28:企业CMP竞争格局资料来源:Cabot、国信证券经济研究所整理Dow垄断中国近90%的CMP抛光垫市场供给,是国产替代的主要对象。

Dow是一家全球领先的化学企业,其CMP抛光垫业务来源于对Rodel的并购。

Dow侧重CMP本身机理研究,改进抛光机制和抛光垫参数,并根据客户的实际需求从应用层面对现有产品进行改良,目前有多种型号CMP抛光垫供应亚太、欧洲和北美市场。

2005年Dow开始布局亚太地区,2008年全线投产,是CMP抛光垫领域的绝对龙头。

契机已来,国内晶圆制造崛起,将重塑国产半导体产业链未来3-5国内晶圆制造产能将翻番,国内半导体产业链上下游迎来重要契机。

根据大家对于大陆区域晶圆制造的全面梳理,目前大概有54个运营主体,共计94个晶圆厂或产线项目,目前产能平稳运行的有17个晶圆厂及产线项目,正在产能爬坡的有37个,未来3-6个试生产的11个,正在项目基础建设的9个,另外正在规划的约11个。

截止2019年底,思想研究院统计我国12英寸晶圆制造厂装机产能约90万片/月,较2018年增长50%;8英寸晶圆制造厂装机产能约100万片/月,较2018年增长10%;6英寸晶圆制造厂装机产能约230万片/月,较2018年增长15%。

根据当前94个晶圆厂项目规划及目标总计,预计至2024年,大陆区域12英寸目标产能达273.0万片/月,相比2019年增长超过2倍,8英寸目标产能达187万片/月,相比2019年增长90%。

若这些晶圆厂如期达到产能目标,将大幅拉动对国产半导体设备和材料的需求。

Dow79%Cabot5%ThomasWest4%FOJIBO2%JSR1%其他9%图29:大陆区域晶圆厂运营主体的目标产能(万片/月)资料来源:百度、国信证券经济研究所分析整理图30:大陆区域晶圆厂项目建设梳理一览图31:主流晶圆产能目标资料来源:百度、国信证券经济研究所分析整理资料来源:IDC、国信证券经济研究所估算整理具体项目来看,中芯国际、华虹宏力、粤芯半导体、长江存储、合肥长鑫、武汉新芯、福建晋华等各重点厂商均新建多条产线并大幅新增产能达2倍以上。

晶圆制造厂产品主要包括两大方向,一方面为主攻先进制程代工和特色工艺的晶圆厂,包括中芯国际、华虹、粤芯等;另一方向主要是以存储晶圆制造为主攻方向的晶圆厂,包括长江存储、合肥长鑫、福建晋华、武汉新芯等。

广州粤芯成立于2017年12月,是国内第一座以虚拟IDM(VirtualIDM)为营运策略的12英寸芯片厂,一期已于19年底投产,并规划二期,目标总产能达4万片/月。

长江存储是国内投资闪存(NANDFLASH)产能的大厂,也是大基金重点投资项目,2023年底目标产能为30万片/月。

目前长江存储产能迅速提升,2019年底产能已达到2万片/月,2020H1向5万片推进,企业已在2020年1月开启招标活动。

长江存储在储备64层XtackingNandFlash技术布局后,将跳过96层,直接推进128层堆栈。

0.020.040.060.080.0100.0120.0中芯国际海力士长江存储芯恩集成SAMSUNG福建晋华华虹宏力台积电合肥长鑫…英特尔上海先进紫光集团弘芯半导体士兰微格科徽电子万国半导体武汉新芯晋华集成联华电子海辰半导体广州粤芯合肥晶合青岛城芯…矽力杰广义微电子和舰科技英诺赛科德州仪器燕东微电子德淮半导体富能、富…北京耐威英锐集团中车时代…大连宇宙吉林华微…赛莱克斯华润微电子江苏时代…兴华半导体新进芯微…能华微电子京双仪微…世纪金光芯睿电子能讯高能德科码赣州名芯格罗方德泉芯集成中璟航天中科晶芯求和项:产能目标(折算8英寸)3519457210107440510152025303540停摆产能平稳产能爬坡即将试产项目在建规划中12英寸8英寸6英寸5英寸4英寸59.689.7273.090.498.5187.0199.2229.1292.401002003004005006007008002018/12/312019/12/312024(E)12英寸8英寸6英寸产能复合增速25%产能复合增速14%产能复合增速5%合肥长鑫主要为DRAM存储器的12寸晶圆厂,预计未来3年总产能目标为12.5万片/月,并分为三个阶段实行。

第一阶段目标产能4万片/月(当前2万片),预计到20年Q1达到4万片,为19nm工艺芯片。

合肥长鑫的8GbDDR4已经通过多个国内外大客户验证,预计今年底正式交付。

DRAM大厂福建晋华,原本已达产能6万片,整体目标产能24万/月,近期由于受到美国起诉和禁售,目前整体运营受到一定影响。

武汉新芯目前拥有1.2万片/月的代码型闪存和1.5万片/月的背照式图像传感器的生产能力。

未来计划扩产到7万片/月。

图32:大陆区域主要晶圆厂产能目标汇总(万片/月)资料来源:企业公告、国信证券经济研究所分析整理替代开启,抛光垫国产化开启主成长周期贸易争端加剧,国内CMP材料企业抓住国产替代良机。

18年中兴事件、19年HUAWEI被禁等,极大地推动半导体产业链国产化进程。

以中芯国际为代表的国内下游晶圆制造厂商为了产业链安全可控,在半导体材料方面给予了国内企业更多的机会。

由于集成电路设备和原材料具有较高的技术要求和较长的认证门槛,CMP抛光垫编号所属或涉及主要企业简称FAB项目市级晶圆尺寸状态投资(亿元)目标月产能(万片/月)当前月产能(万片/月)主要制程节点(逻辑代工nm,存储产品层数)1福建省晋华集成电路(12英寸)一期晋州12英寸产能平稳56.5亿美金6632~20nm2福建省晋华集成电路(12英寸)二期晋州12英寸项目在建632-20nm3广州粤芯广州粤芯半导体技术(12英寸)广州12英寸产能爬坡70亿元40130nm~180nm4合肥长鑫合肥长鑫(12英寸)合肥12英寸产能爬坡72亿美金12.5219nm5华虹Fab5上海12英寸产能爬坡219亿元3.51.555-40-28nm6华虹Fab6上海12英寸产能爬坡387亿元41.528-20-14nm7华虹Fab3上海8英寸产能平稳551um-90nm8华虹Fdb2上海8英寸产能平稳5.95.91um-90nm9华虹Fab1上海8英寸产能平稳25亿美金6.56.51um-90nm10华虹Fab7(华虹无锡一期)无锡12英寸产能爬坡25亿美金4190-65/55nm11武汉新芯二期(12英寸)武汉12英寸产能爬坡17.8亿美金3016~32层12武汉新芯一期(12英寸)武汉12英寸产能爬坡42.713长江存储长江存储科技有限责任企业(12英寸)武汉12英寸产能爬坡240亿美金3034~32层3DNAND闪存芯片14中芯国际BJFAB2(多股权)北京12英寸产能平稳54.140-28nm15中芯国际BJFAB1北京12英寸产能平稳5.55.20.18um-55nm16中芯集成电路(宁波)(N1,8英寸)宁波8英寸产能爬坡1.500.6-0.09um17中芯集成电路(宁波)二期(N2,8英寸)宁波8英寸项目在建39.9亿元300.6-0.09um18中芯国际S2A上海12英寸产能爬坡20.240nm~14nmFinFET19中芯国际产线(多数股权)上海12英寸产能平稳10.320中芯南方(12英寸14纳米)SN1上海12英寸即将试产SN1和SN2合计102亿美金3.50.3514-10nmFinFET21中芯南方(12英寸14纳米)SN2上海12英寸即将试产SN1和SN2合计102亿美金3.528-14nmCMOS22中芯国际S1上海8英寸产能平稳1211.50.35um-90nmCMOS23中芯绍兴(8英寸)绍兴8英寸产能爬坡58.8亿元4.25024中芯国际(深圳)(12英寸)深圳12英寸产能爬坡106亿元40.50.11微米到55纳米25中芯国际(深圳)(8英寸)深圳8英寸产能平稳65.50.18-0.13um26中芯国际(天津)(8英寸)天津8英寸产能爬坡15亿美金155.80.35-0.15umCMOS27成都紫光国芯存储科技(12英寸)一期成都12英寸项目在建702亿10028紫光DRAM项目(紫光DRAM重庆,12英寸)重庆12英寸规划中数百亿元00华虹宏力中芯国际紫光集团武汉新芯福建晋华的国产化进程只能采取循序渐进的过程,从小批量送样开始,逐步过渡到大批量替代,从而完成全部的国产化过程。

图33:国产替代路径资料来源:公开资料、国信证券经济研究所整理随着晶圆厂产能增长,预计至2023年CMP抛光垫全球市场规模约9.9亿美金,其中中国市场有望达到4.40亿美金,具有较大的发展前景。

根据全球CMP材料领先企业Cabot市场预估,预计未来全球CMP市场复制增长率约6%。

随着未来国内晶圆厂大幅投产,测算预计未来5年中国CMP抛光垫市场规模增速可超10%,至2023年可达约4.40亿美金。

图34:全球及国内CMP市场规模资料来源:Cabot、国信证券经济研究所整理6.577.47.848.318.819.349.902.122.352.612.903.223.573.964.400246810122016201720182019(E)2020(E)2021(E)2022(E)2023(E)全球CMP抛光垫市场空间(亿美金)国内市场空间(亿美金)CMP半导体材料国产替代企业梳理鼎龙股份:CMP抛光垫打破国外垄断,迎来1-N跨越式发展企业光电半导体新材料CMP抛光垫实现从1-N突破,未来将受益于中国光电及半导体制造产业崛起趋势,新产品指数级增长,有望打开企业新的成长空间,给予“增持”评级。

1、企业CMP抛光垫打破国外垄断,有望受益下游半导体制造领域的崛起。

企业CMP抛光片2013年立项,被纳入了“02专项”,负责中芯国际子课题‘20-14nm技术节点CMP抛光片产品研发’任务。

2019年企业CMP抛光垫在八寸片客户出货量稳步提升,在十二寸片企业成功获得了首张订单。

未来有望充分受益于中国半导体制造崛起。

2、企业PI基材研发卡位柔性材料赛道,迎接PI膜需求爆发。

柔性PI膜作为绝缘高性能高分子材料,下游应用广泛,具有百亿级市场规模。

企业PI基材目前已经部分完成国内知名面板厂商G4.5以及G6线全流程验证,随着客户产能放量,企业有望迎来行业增长红利。

3、企业打印耗材业务国内竞争力较好,未来保持稳定成长趋势。

企业打印耗材业务已形成全产业链闭环布局,近年来企业持续整合并购巩固耗材领先地位,4、预计企业2019~2021年营11.73/15.72/22.17亿,对应归母净利润0.39/3.99/5.80亿,对应2020年PE31倍,给予“增持”评级。

图35:鼎龙股份2015-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)图36:鼎龙股份产品营收及占比(2019E)资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理24.4%30.2%-21.3%-12.3%38.0%32.9%-21.0%-86.7%-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%0246810121416182015/12/312016/12/312017/12/312018/12/312019/12/31(E)营业总收入净利润营收同比(%)净利润同比(%)6.572.742.080.310.0356%23%18%3%0%0%10%20%30%40%50%60%-1234567硒鼓墨粉+调节剂芯片其他CMP抛光产品营收(亿元)产品占比安集科技:CMP抛光液处于国内领先地位安集科技抛光液国内处于领先地位。

目前企业主要产品CMP耗材之一的抛光液,其产品在28nm技术节点实现规模化销售,在国内8英寸和12英寸主流客户中认可度较高;14nm技术节点产品也已经进入客户认证阶段。

企业打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断,位列国内半导体材料第一梯队。

图37:安集科技2016-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)图38:安集科技2016-2019(E)年毛利率及净利率趋势资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理江丰电子:积极布局CMP部件领域江丰电子积极布局CMP机台零部件领域。

江丰电子主要产品为超高纯金属材料及溅射靶材,目前是国内集成电路靶材、平板显示用靶材的全球主要供应商,下游客户客户包括中芯国际、华虹宏力、京东方、华星光电等。

企业未来计划进一步实现高纯溅射靶材在14-3nm技术节点的规模应用。

企业2016年联合美国嘉柏微电子材料,就抛光垫项目进行合作,并引进了掌握抛光垫相关技术及市场的核心人才并开发相关产品,2018年企业取得了1项基于抛光垫修整器、抛光垫修整装置及抛光系统的发明专利。

图39:江丰电子2015-2019(E)年营收及净利润趋势(亿元)图40:江丰电子2015-2019(E)年毛利率及净利率趋势资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理资料来源:企业公告、国信证券经济研究所整理01122332016-12-312017-12-312018-12-312019-12-31营业总收入净利润55.6155.5851.1056.0718.8717.1018.1422.8101020304050602016-12-312017-12-312018-12-312019-12-31销售毛利率(%)销售净利率(%)01234567892015-12-312016-12-312017-12-312018-12-312019-12-31营业总收入净利润31.7431.8431.6529.6028.467.9912.3111.568.977.53051015202530352015-12-312016-12-312017-12-312018-12-312019-12-31销售毛利率(%)销售净利率(%)附表:重点企业盈利预测及估值企业企业投资收盘价EPSPEPB代码名称评级20192020E2021E20192020E2021E2019300054鼎龙股份超配12.890.020.040.27324.447.6770.63.2688019安集科技超配262.861.241.682.30156.9114.4212.015.7数据来源:wind、国信证券经济研究所整理风险提示1、宏观经济增长不及预期的风险2、企业所在半导体制造领域受到贸易摩擦、宏观经济等影响需求不及预期,导致下游需求不及预期的风险。

3、企业自身产品技术进度不急预期,,可能存在经营不达预期的风险。

4、其他可能潜在的导致经营利润不及预期的风险。

国信证券投资评级类别级别定义股票投资评级买入预计6个月内,股价表现优于市场指数20%以上增持预计6个月内,股价表现优于市场指数10%-20%之间中性预计6个月内,股价表现介于市场指数±10%之间卖出预计6个月内,股价表现弱于市场指数10%以上行业投资评级超配预计6个月内,行业指数表现优于市场指数10%以上中性预计6个月内,行业指数表现介于市场指数±10%之间低配预计6个月内,行业指数表现弱于市场指数10%以上分析师承诺编辑保证报告所采用的数据均来自合规渠道,分析逻辑基于本人的职业理解,通过合理判断并得出结论,力求客观、公正,结论不受任何第三方的授意、影响,特此声明。

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